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Samsung 990 Pro - M.2 PCIe/NVMe 2.0 SSD - 4.0 x4 - - 2TB

Art.-Nr.: 
Herst.-Nr.: 
A55989
MZ-V9P2T0BW
Neu
  • 2TB
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  • Hersteller
    Samsung
    Modellnummer
    Samsung 990 PRO
    Kapazität
    2TB
    Bauform SSD
    M.2 (Format 2280)
    Technologie SSD
    M.2 PCIe/NVMe (PCIe 4.0 x4)
    Key SSD
    M Key
    SSD Lesegeschwindigkeit max.
    Bis zu 7.450 MB/s
    SSD Schreibgeschwindigkeit max.
    Bis zu 6.900 MB/s
  • Herstellerinformationen

    Explosives Tempo für intensives Gaming
    Entdecke die starke Leistung mit PCIe® 4.0 und erlebe rasante Geschwindigkeit, um dich der Konkurrenz zu stellen. Die intelligente Wärmeregulierung des Samsung Controllers bietet hohe Energieeffizienz bei gleichbleibend hoher Geschwindigkeit und Performance. So steht dem Gaming-Spaß nichts mehr im Weg.

    PCIe® mit rasanter Geschwindigkeit
    Hol dir rasante Geschwindigkeit für dein Gaming-Erlebnis sowie für Video-und 3D-Bearbeitung, Datenanalyse und mehr. Denn dank PCIe® wird die Performance angepasst: Mit 40 % und 55 % schnellerer zufälliger Lese- und Schreibgeschwindigkeit im Vergleich zur 980 PRO, bis zu 1.400 K / 1.550 K IOPS sowie mit sequentiellen Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.450 / 6.900 MB/s.

    Bahnbrechende Energieeffizienz
    Höhere Leistung verbraucht oftmals mehr Strom. Nicht mit der 990 PRO. Erlebe einen geringen Strombedarf durch eine um über 50 % pro Watt verbesserte Leistung gegenüber dem Vorgängermodell

    Smarte Temperaturregulierung
    Der nickelbeschichtete Controller und der hochmoderne thermische Steueralgorithmus regulieren die Wärme und ermöglichen so uneingeschränkte Performance. Das Heatspreader-Label kontrolliert die Wärme des NAND-Chips, während die Dynamic-Thermal Guard-Technologie die Temperaturen reguliert.

    Technische Daten:

    Formfaktor: M.2 (2280)

    Kapazität: 1TB bis 2TB

    Schnittstelle: PCI Express 4.0 x4 (NVMe) / NVMe 2.0

    Merkmale: TRIM-Unterstützung, S.M.A.R.T Unterstützung, AES 256 Bit Verschlüsselung TCG/OPAL, IEEE1667, Sleep Mode Unterstützung

    NAND-Flash-Speichertyp: Samsung V-NAND 3-bit MLC

    Cache-Speicher: Samsung 1GB Low Power DDR4 SDRAM

    Sequenzielle Lesegeschwindigkeit
    Bis zu 7.450 MB/s*

    Sequenzielle Schreibgeschwindigkeit
    Bis zu 6.900 MB/s*

    Ein-/Ausgabeoperationen lesen (4KB, QD32)
    Bis zu 1.200.000 IOPS*

    Ein-/Ausgabeoperationen schreiben (4KB, QD32)
    Bis zu 1.550.000 IOPS*

    Ein-/Ausgabeoperationen lesen (4KB, QD1)
    Bis zu 22.000 IOPS*

    Ein-/Ausgabeoperationen schreiben (4KB, QD1)
    Bis zu 80.000 IOPS*

    Abmessungen: 80 x 22 x 2,3 mm

    * Leistung hängt von System-Hardware und Konfiguration ab
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